China High Purity für die Elektronikindustrie Material Indium Ingot Germanium

Modell Nr.
99.99%
Transportpaket
Box
Spezifikation
25kg
Herkunft
China
Produktionskapazität
10tons
Referenzpreis
$ 720.00 - 810.00

Produktbeschreibung

Detaillierte Fotos

                                Germanium-Ingot
1.Beschreibung: Germanium-Ingot

2.Verpackung: Holzkrate

3.HS-Code: 8112991000
 

4.zonenveredelte Germaniumbarren (Ge) 5N 6N
 

5.Lagerung: Es sollte in einem kühlen, belüfteten, trockenen, sauberen Lager ohne chemische Korrosionsatmosphäre gelagert werden. Feuchtigkeitsbeständig. Lagern und transportieren Sie diese nicht zusammen mit Säure- und Alkali-Produkten. Es sollte regenfest und stoßfest im Prozess des Transports. Gehen Sie beim Be- und Entladen vorsichtig vor, um Kollisionen und Rollungen sowie mechanische Beschädigungen zu vermeiden.
 

China High Purity for The Electronics Industry Material Indium Ingot Germanium
China High Purity for The Electronics Industry Material Indium Ingot Germanium
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China High Purity for The Electronics Industry Material Indium Ingot Germanium
China High Purity for The Electronics Industry Material Indium Ingot Germanium
China High Purity for The Electronics Industry Material Indium Ingot Germanium
Produktbeschreibung
Hochreines Germanium-Metall
Materialname
Reinheit
Größe
Hochreines Germanium
5N-7N
 
Germanium Ingot
5N
 
Germaniumpulver
5N
100.200.325 Mesh
Germaniumdioxid
5N-6N
 
Symbol:
Ge
Cas:
7440-56-4
Ordnungszahl:
32
Gewicht Der Atome:
72,59
Dichte:
5,323 g/cc
Schmelzpunkt:
937,4 oC
Siedepunkt:
2830 oC
Wärmeleitfähigkeit:
0,602 W/CM/K @ 302,93 K
Elektrischer Widerstand:
Mikrohm-cm @ 20 oC
Elektronegativität:
1,8 Paulings
Spezifische Wärme:
0,077 Cal/g/K @ 25 oC
Hitze der Verdampfung:
68 K-cal/gm-Atom bei 2830 oC
Verunreinigungen in ppm
Ge %
99,999min
AI (ppm)
0,1max
Cu (ppm)
0,2max
Fe (ppm)
0,1max
PB (ppm)
0,1max
NI (ppm)
0,2max
Co (ppm)
0,2max
As (ppm)
0,1max
Gesamtgehalt von AI, Cu, Fe, Pb, Bi, Na, SI, S, SE, AS, mg (ppm)
10mA
GE-Gehalt ≥ 99,999 %, Widerstand ≥ 50Ω • cm (20 ± 0,5 ºC). Silbergrauer Metallglanz, quader Form, hart und spröde, Schmelzpunkt von 937,4 ºC, Siedepunkt von 2800 ºC, Dichte von 5,325g/cm3. Jeder Barren ist etwa 100 ~ 500mm lang, in einem Polyethylen-Folienbeutel versiegelt, dann in einer Polystyrol-Box verpackt, in einer äußeren Holzkiste verpackt, Und das Nettogewicht jeder Box beträgt etwa 25kg.
Anwendungsbereich

Anwendungen
1. Verwendet als eine Vielzahl von monokristallinen Germanium-Rohstoffen;
2. Weit verbreitet in Halbleiter und Detektor, Infrarot-optische Industrie verwendet.
China High Purity for The Electronics Industry Material Indium Ingot Germanium

Verpackung Und Versand
China High Purity for The Electronics Industry Material Indium Ingot Germanium
China High Purity for The Electronics Industry Material Indium Ingot Germanium

 

Unternehmensprofil

 

China High Purity for The Electronics Industry Material Indium Ingot Germanium

China High Purity for The Electronics Industry Material Indium Ingot Germanium
FAQ

1. Wer sind wir?
Wir haben unseren Sitz in shanxi, China, ab 2023, verkaufen nach Nordamerika (20,00 %), Westeuropa (13,00 %), Südamerika (12,00 %), Südostasien (10,00 %), Nordeuropa (8,00 %), Osteuropa (7,00 %), Südasien (6,00 %), Ozeanien (5,00 %), Südeuropa (5,00 %), Afrika (5,00 %), Mittlerer Osten (5,00 %), Zentralamerika (4,00 %). Insgesamt sind in unserem Büro ca. 11-50 Personen.

2. Wie können wir Qualität garantieren?
Immer ein Vorproduktionsmuster vor der Massenproduktion;
Immer Endkontrolle vor dem Versand;

3.Was können Sie bei uns kaufen?
Chemische Produkte,Metallmaterialien,Metallurgische Materialien,Kunststoffrohstoffe,Elektronische Produkte

4. Welche Dienstleistungen können wir erbringen?
Akzeptierte Lieferbedingungen: FOB,CFR,CIF,EXW;
Akzeptierte Zahlungswährung: USD,EUR,JPY,CAD,HKD,CNY;
Akzeptierte Zahlungstyp: T/T, L/C, MoneyGram, PayPal, Western Union;
Gesprochene Sprache: Englisch, Chinesisch, Spanisch, Japanisch, Portugiesisch, Deutsch, Arabisch, Französisch, Russisch, Koreanisch, Hindi, Italienisch

 

CBRANDS.CO.NZ, 2023